Activator150 SiC和GaN退火及石墨烯生长

centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或镓-氮化合物（GaN） 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体， 如研发炉和批量生产炉， 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低，所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。

特点：

高活化率

表面粗糙程度 小

温度达 1850°C

批量规模高达 50硅片（150mm）

加热率达 150 K/min

通过SiH4可实现硅“过压

centrotherm CLV200

CLV200 小批晕生产用垂直炉管

I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产

centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备，能实现各项热处理工艺，适用于少量生产及 研发。

cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计， 升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小（一批至多 50 片晶圆）， CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺，降低顾客研发费用。

cent rot herm 的设计在 ， 低耗上非常出色， 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。

常压工艺退火

氧化

扩散LPCVD PECVD

 温度可达 11 00° C

净化间占用面积小 [1.6 m叮

售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批可处理 50 片晶圆

售 全自动 cassette -to-cassette 传片